फंडामेंटल्स ऑफ़ इलेक्ट्रॉनिक इंजीनियरिंग

Jul 17, 2024

फंडामेंटल्स ऑफ़ इलेक्ट्रॉनिक इंजीनियरिंग

परिचय और महत्वपूर्ण जानकारी

  • चैनल पर फर्स्ट ईयर के सिलेबस के अनुसार मास्टर वीडियो उपलब्ध
  • सब्जेक्ट की पूरी यूनिट एक वीडियो में क्लियर
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  • वीडियो प्लेलिस्ट और टेलीग्राम लिंक डिस्क्रिप्शन में

इलेक्ट्रॉनिक इंजीनियरिंग का परिचय

  • इलेक्ट्रॉनिक (Electronic): ब्रांच ऑफ़ साइंस/इंजीनियरिंग जो इलेक्ट्रॉन्स के फ्लो से संबंधित है
  • इलेक्ट्रॉनिक डिवाइसेज़: इनका यूटिलाइजेशन और स्टडी

सामग्री का वर्गीकरण (Classification of Materials)

  • तीन प्रकार: कंडक्टर, इंसुलेटर, सेमीकंडक्टर
  • कंडक्टर: करंट इजीली फ्लो करता है, मेटल्स
  • इंसुलेटर: करंट फ्लो नहीं होता, नॉन-मेटल्स
  • सेमीकंडक्टर: दोनों प्रॉपर्टीज (Conductor/Insulator)

ऊर्जा बैंड डायग्राम (Energy Band Diagram)

  • बैलेंस बैंड (Valence Band): लोअर एनर्जी इलेक्ट्रॉन्स
  • कंजक्शन बैंड (Conduction Band): हाई एनर्जी इलेक्ट्रॉन्स
  • फोरबिडेन एनर्जी बैंड गैप (Forbidden Energy Band Gap): दोनों बैंड्स के बीच का गैप

सामग्री का एनर्जी बैंड गैप के आधार पर वर्गीकरण

  • कंडक्टर: बैंड्स ओवरलैपिंग
  • इंसुलेटर: बड़ा एनर्जी बैंड गैप (ग्रेटर दें 6 इलेक्ट्रॉन वॉल्ट)
  • सेमीकंडक्टर: मॉडरेट बैंड गैप (1 इलेक्ट्रॉन वॉल्ट के आसपास)

सेमीकंडक्टर की वर्गीकरण (Classification of Semiconductors)

  • स्वाभाविक सेमीकंडक्टर (Intrinsic): प्यूअर फॉर्म, सिलिकॉन और जर्मेनियम
  • अल्ट्रड सेमीकंडक्टर (Extrinsic): इम्प्योरिटीज एड, दो प्रकार
    • n-टाइप (n-type): इम्प्योरिटीज पेंटावेलेंट (Phosphorus)
    • p-टाइप (p-type): इम्प्योरिटीज त्रिवेलेंट (Boron)

पी-एन जंक्शन डायोड (P-N Junction Diode)

अनबाइस्ड कंडीशन (Unbiased Condition)

  • पी-टाइप और एन-टाइप सेमीकंडक्टर का जॉइन
  • डिप्रेशन लेयर (Depletion Layer): नेगेटिव और पॉजिटिव चार्ज, बैरियर पोटेंशियल

फॉर्वर्ड बायसिंग (Forward Biasing)

  • बैटरी (डीसी) का पॉजिटिव पी-टाइप से और नेगेटिव एन-टाइप से कनेक्ट
  • डिप्रेशन लेयर की विथ कम, करंट फ्लो

रिवर्स बायसिंग (Reverse Biasing)

  • बैटरी का नेगेटिव पी-टाइप से और पॉजिटिव एन-टाइप से कनेक्ट
  • डिप्रेशन लेयर की विथ बढ़ती है, करंट कम

विकर पोटेंशियल (Barrier Potential)

  • सिलिकॉन (0.7 वॉल्ट), जर्मेनियम (0.3 वॉल्ट)

वे आइ करैक्टेरिस्टिक्स (V-I Characteristics)

  • फॉर्वर्ड बायसिंग: वी-आई करंट ग्राफ, पॉजिटिव वैल्यूज
  • रिवर्स बायसिंग: रिवर्स करंट न्यूनतम या जीरो
  • ब्रेकडॉउन रीजन (Breakdown Region): जनरल इफेक्ट और आइवलांचे इफेक्ट

डायोड की एप्लिकेशन (Applications of Diode)

रेक्टिफायर्स (Rectifier)

  • हाफ़ वेव और फुल वेव
    • हाफ़ वेव: ट्रांसफार्मर द्वारा आधे साइकिल को यूटिलाइज़
    • फुल वेव: सेंटर-टैप्ड और ब्रिज रेक्टिफायर
    • रिपल फैक्टर: आउटपुट की प्योरिटी

क्लिपर्स और क्लैम्पर्स

  • क्लिपर्स: इनपुट वेवफॉर्म के हिस्सों को क्लिप करना
  • क्लैम्पर्स: वेवफॉर्म को शिफ्ट करना

स्पेशल डायोड

जनरल डायोड (Zener Diode)

  • ब्रेकडाउन रीजन में वर्किंग: विशेषकर ज़ेनर ब्रेकडाउन और अवेलांस ब्रेकडाउन के अंतर्गत
  • संकट रेगुलेटर (Zener Regulator)
    • रेगुलेशन कंडीशन, बैटरी पोलारिटी के आधार पर

अन्य विशेष डायोड

  • टनल डायोड: हाय डोपिंग लेवल्स
  • एलईडी: लाइट एमिशन प्रिंसिपल, इलेक्ट्रो-लुमिनेसेंस
  • फोटो डायोड: रिवर्स बायसिंग, फोटो करंट जेनरेशन