करंट इलेक्ट्रिसिटी का व्याख्यान

परिचय

• वक्ता: राजवान सिंह
• मंजिल सीरीज: लेक्चर नंबर वैन
• चैप्टर: करंट इलेक्ट्रिसिटी (Current and Electricity)
• वेटेज: महत्वपूर्ण चैप्टर, अधिकतर प्रश्न आते हैं
• कक्षाएँ: 10वीं और 12वीं के विद्यार्थियों के लिए प्रमुख

मुख्य बिंदु

1. धारा (करंट) की परिभाषा: चार्ज के प्रवाह की दर, $I = \frac{dQ}{dt}$
   • इकाई: कूलम्ब/सेकंड (एम्पियर)
   • स्केलर क्वांटिटी
2. ड्रिफ्ट वेलोसिटी: इलेक्ट्रॉनों की औसत गति, फॉर्मूला: $v_d = \frac{eE\tau}{m}$
3. मॉबिलिटी (Mobility): $\mu = \frac{v_d}{E}$
   • इकाई: $\frac{m^2}{V s}$
4. ओम्स लॉ: $V = IR$
   • रेसिस्टिविटी ($\rho$): $\rho = \frac{m}{ne^2 \tau}$
5. कंडक्टिविटी (Conductivity): $\sigma = \frac{1}{\rho}$
6. करंट डेंसिटी: $\mathbf{J} = \sigma \mathbf{E}$
7. बैटरी का सीरीज और पैरेलल कॉम्बिनेशन
   • सीरीज: $E_{eq} = E_1 + E_2$, $R_{eq} = R_1 + R_2$
   • पैरेलल: $\frac{1}{R_{eq}} = \frac{1}{R_1} + \frac{1}{R_2}$
8. विटस्टोन ब्रिज: $\frac{R_1}{R_2} = \frac{R_3}{R_4}$ (बैलेंस स्थिति)
9. पोटेंशियोमीटर: उच्च सटीकता वाला वोल्टमीटर
   • पोटेंशियल ग्रेडिएंट: $k = \frac{V}{L}$, $V = kL$
10. पावर: $P = IV$, $P = I^2R$, $P = \frac{V^2}{R}$

महत्वपूर्ण सूत्र

• ड्रिफ्ट वेलोसिटी: $v_d = \frac{eE\tau}{m}$
• मॉबिलिटी: $\mu = \frac{v_d}{E}$
• ओम्स लॉ: $V = IR$
• करंट डेंसिटी: $\mathbf{J} = \sigma \mathbf{E}$
• रेसिस्टिविटी: $\rho = \frac{m}{ne^2 \tau}$
• कंडक्टिविटी: $\sigma = \frac{1}{\rho}$
• विटस्टोन ब्रिज: $\frac{R_1}{R_2} = \frac{R_3}{R_4}$
• पोटेंशियोमीटर: $V = kL$
• पावर:
  • $P = IV$
  • $P = I^2R$
  • $P = \frac{V^2}{R}$

निष्कर्ष

• करंट इलेक्ट्रिसिटी महत्वपूर्ण चैप्टर है विशेषकर बोर्ड परीक्षाओं और प्रतियोगी परीक्षाओं के लिए।
• ऊर्जा संरक्षण और इसकी विविध अवधारणाओं को समझना महत्वपूर्ण है।
• सही अभ्यास से सभी फॉर्मूले और अवधारणाएँ स्पष्ट हो जाती हैं।

टिप्स:

• फॉर्मूला याद रखें और उन्हें विभिन्नsituations पर लागू करना सीखें।
• करंट के प्रवाह और वोल्टेज के विभाजन को समझें।
• पोटेंशियोमीटर और विटस्टोन ब्रिज के प्रयोग पर ध्यान दें।