Basic Electronics Lecture Notes
विषय: Basic Electronics
- डिमांड: स्टूडेंट्स ने वीडियो लेक्चर की जल्दी मांग की थी।
- सुझाव: वीडियो देखने के दौरान नोट्स बनाएँ।
यूनिट 1: डायोड थ्योरी और एप्लीकेशंस
टॉपिक: Forward Bias PN Junction डायोड
- PN Junction डायोड:
- PN Junction का मतलब: P Type और N Type सेमीकंडक्टर को जोड़ना।
- Boundary: जो P और N टाइप को अलग करती है, उसे PN Junction कहते हैं।
इलेक्ट्रॉन और होल का गतिशीलता
- डिफ्यूजन करंट:
- इलेक्ट्रॉन की मोशन से करंट बनता है, जिसे डिफ्यूजन करंट कहते हैं।
- यह करंट नगण्य होता है।
- डिप्लेशन लेयर:
- चार्ज कैरियर्स की कमी वाली लेयर।
- पॉजिटिव और नेगेटिव चार्ज के एट्रेक्शन से इलेक्ट्रिक फील्ड बनती है।
पोटेंशियल बैरियर
- पोटेंशियल बैरियर का कार्य:
- इलेक्ट्रॉन के फ्लो को रोकता है।
- सिलिकॉन के लिए 0.6 वोल्ट और जर्मेनियम के लिए 0.3 वोल्ट।
बायसिंग प्रक्रिया
फॉरवर्ड बायस प्रक्रिया
- विधि:
- बैटरी का पॉजिटिव टर्मिनल P टाइप से और नेगेटिव N टाइप से जोड़ना।
- डिप्लेशन लेयर की मोटाई कम होती है।
- परिणाम:
- करंट का फ्लो होता है।
- डिप्लेशन लेयर और पोटेंशियल बैरियर कम होते हैं।
डायोड का सिंबल
- सिंबल: तिरछा और लाइन के साथ।
- फॉरवर्ड बायस सिंबल:
- अनोड और कैथोड पॉजिटिव और नेगेटिव टर्मिनल से जुड़े होते हैं।
VI चार्टिस्टिक्स
- करंट-वाल्टेज चार्टिस्टिक्स:
- फॉरवर्ड वोल्टेज को बढ़ाते समय करंट फ्लो नहीं होता जब तक कि पोटेंशियल बैरियर ओवरकम नहीं होता।
- नी वोल्टेज: वह वोल्टेज जहां करंट फ्लो शुरू होता है, जिसे काटिंग वोल्टेज भी कहते हैं।
निष्कर्ष
- फॉरवर्ड बायसिंग में करंट फ्लो तभी होता है जब एक्सटर्नल बैटरी पोटेंशियल बैरियर से अधिक होती है।
- Practice hard और ध्यान से पढ़ें।
टिप: नोट्स को व्यवस्थित रखें और हर लेक्चर के बाद रिव्यू करें।